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#1 |
数量:26918 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:26918 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:248 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 MJ21195,6 |
| 标准包装 | 100 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 16A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 250V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 4V @ 3.2A, 16A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 25 @ 8A, 5V |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 频率转换 | 4MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-204AA, TO-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 包装材料 | Tray |
| 动态目录 | NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/15103?mpart=MJ21196G&vendor=488&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 3TO-204 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 250 V |
| 集电极最大直流电流 | 16 A |
| 最小直流电流增益 | 25@8A@5V|8@16A@5V |
| 最大工作频率 | 4(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.4@0.8A@8A|4@3.2A@16A V |
| 最大集电极基极电压 | 400 V |
| 工作温度 | -65 to 200 °C |
| 最大功率耗散 | 250000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Trays |
| 集电极最大直流电流 | 16 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 标准包装名称 | TO-3 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 250000 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 4(Min) |
| 封装 | Tray |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 400 |
| 供应商封装形式 | TO-204 |
| 最大集电极发射极电压 | 250 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 16A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 4MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 4V @ 3.2A, 16A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 250V |
| 供应商设备封装 | TO-3 |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 封装/外壳 | TO-204AA, TO-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 25 @ 8A, 5V |
| 其他名称 | MJ21196GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.4 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 25 |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 250 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 400 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 16 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 16 A |
| 集电极 - 基极电压 | 400 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 250 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 4 MHz |
| 功率耗散 | 250 W |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 包装类型 | TO-204 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 25 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 4 MHz |
| 集电极电流（DC ） | 16 A |
| 直流电流增益 | 25 |
| 频率 - 跃迁 | 4MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 4V @ 3.2A, 16A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100µA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 25 @ 8A, 5V |
| 封装/外壳 | TO-204AA, TO-3 |
| 功率 - 最大值 | 250W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 16A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 250V |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 长度 | 39.37 mm |
| 系列 | MJ21196 |
| 身高 | 8.51 mm (Max) |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| associated | 80-4-5 |
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